超越SiC？功率器件市场，跑出一匹黑马！

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 二氧化锗（GeO 2 ）共有五种晶体结构：金红石型、α-石英型、CaCl 2 型、α-PbO 2 型和黄铁矿型。 日本公司Patentix目前取得突破的就是金红石型二氧化锗（r-GeO 2 ），r-GeO 2 具有4.6 eV的巨大带 隙，理论预测其同时具有n型和p型导电特性。因此，它有望应用于下一代高性能常关型MOSFET等 领域。 Patentix 株 式 会 社 是 一 家 源 自 立 命 馆 大 学 的 初 创 企 业 ， 专 注 于 超 宽 带 隙 （ Ultra-Wide Bandgap, UWBG）半导体材料——二氧化锗（GeO 2 ）的研究开发、制造与销售。自2022 年12月成立以来， 公司累计融资额已达10.59亿日元。 为了最大限度地发挥r-GeO 2 的潜力，需要实现具有最小晶体缺陷的高质量块状衬底。此前该公司曾 使用助熔剂法 (Flux Method) 合成块状晶体，最大尺寸约为15x2.5x5mm]。为了利用r-GeO 2 实现功 率半导体器件，更高质量和更大尺寸的块状晶体是必需的。 此次Patentix以传统熔剂法合成的r-GeO ...