IGBT，中国还落后五年？

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来 源 ： 内容 编译自 Yole 。 据Yole最新报道，IGBT 市场正在进入一个新阶段，硅、SiC 和 GaN 并存，每一种都满足特定的性 能和成本要求。 虽然 SiC 正在迅速发展，尤其是在 800V 电动汽车平台和高效工业系统中，但 IGBT 仍然在高功 率 、 高 电 压 和 成 本 敏 感 型 应 用 中 占 据 主 导 地 位 ， 例 如 HEV/PHEV 、 光 伏 逆 变 器 、 风 力 涡 轮 机 、 UPS、铁路牵引和电网基础设施。 4、成本压力： 多个市场上的激烈价格竞争有利于IGBT相对于SiC器件的发展。 5、稳健性和可靠性： IGBT 具有稳健性和可靠性，在铁路、海上风电、国防和航空航天等6、关键 应用中占据有利地位，在这些应用中，高功率和高电压处理能力至关重要。 可再生能源和充电应用领域的系统电压不断上升，超高功率系统中晶闸管的使用逐渐减少，以及有利 于成熟、可扩展的IGBT技术的强劲价格压力，都增强了市场动能。 受系统集成趋势的支持，模块化需求增长速度超过了离散元件，而离散元件市场仍然主要由工业和消 费应用驱动。 与此同时，市 ...