存储之王回归？大摩：三星HBM业务已实现全面赶超，2026年盈利或暴增150%

大摩认为，三星在高带宽内存(HBM)领域已实现全面追赶，HBM4产品正在进行多重资质认证测试，首批结果预计将在12月初公布。公司目前拥 有50万片DRAM有效产能，远超竞争对手。公司有望重新掌控存储市场主导权，2026年盈利将较2025年暴增超过150%。市场对三星特定的积 极进展准备不足，从相对盈利修正到技术领先地位的转变(HBM4)，都可能成为股价催化剂。 大摩认为，三星电子正以其"技术领先优先"战略重新掌控存储市场主导权，2026年每股收益将较2025年暴增超过150%。 摩根士丹利分析师在11月23日的报告中表示，三星在高带宽内存(HBM)领域已实现全面追赶。三星HBM3e产品目前已向所有AI计算客户出货， 而HBM4产品正在进行多重资质认证测试，首批结果预计将在12月初公布。 与竞争对手不同，三星无需修改设计要求，凭借1c DDR5前端技术、4nm逻辑基础晶粒和低功耗特性，在产品质量和规格方面保持领先优势。 特别是在高速>11 Gbps领域的独特优势，以及从DRAM到代工再到封装的端到端解决方案能力， 使其有望显著提升市场份额。 分析师强调， 作为DRAM行业命运的关键掌控者，三星目前拥有50万片D ...