HBM 4，三星拿下大单

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 三星电子已完成第六代高带宽存储器（HBM4）的研发，并已内部完成生产准备批准（PRA） 阶段，这是量产前的最后一步。 据半导体行业消息人士12月3日透露，三星电子半导体事业部（DS）近期完成了HBM4芯片的 PRA阶段，这是其内部质量验证的最终阶段。PRA是一项内部指标，用于证明产品的良率和性 能已达到量产标准。三星电子通过将10纳米第六代（1c）DRAM芯片与采用其4纳米逻辑工艺制 造的基础芯片相结合，克服了发热和速度方面的技术挑战。此次PRA的通过表明，三星电子已 进入一个阶段，其制造竞争力不再仅仅局限于研发完成，而是能够直接转化为盈利能力。 三星的业绩预计将大幅增长。金融投资行业预测，该公司2026年的年度营业利润将接近或超过 100万亿韩元，创历史新高。具体来看，今年的年度营业利润预计在40万亿至42万亿韩元之间。 证券公司预计，三星明年的营业利润至少为84万亿韩元，最高可达105万亿韩元，比今年增长2 至2.5倍。尤其值得一提的是，据分析，仅DS部门明年的营业利润就将达到77万亿至93万亿韩 元左右。 营业利润大幅增长的背景在于HBM市场格局的转变。从明年下 ...