当GaN和SiC掀起能源革命，谁在背后稳住它们的“高频心跳”？

为什么GaN/SiC的"高效传奇"， 需要电容的"极限配合"？ GaN/SiC器件能让电源更小、更轻、更高效，但它们的"工作习惯"也极为苛刻： 高频开关挑战 引言 我们为GaN和SiC带来的高效与节能欢呼，却常忽略：若没有与之匹配的"能量守护者"，再 强的半导体也无法真正赋能场景。 想象一下： 第三代半导体（GaN/SiC）的高频、高压、高温特性，如同一匹动力强劲的赛马，但若没有与之 匹配的"缰绳与鞍"——永铭高性能电容，它仍难以在真实场景中稳健奔跑。 每秒数百万次的开关，带来强烈的电流波动与噪声，需要 永铭电容 具备"超快响应"与"高频滤 波"能力，防止 算力被供电拖后腿。 高温环境挑战 高压挑战 光伏逆变、充电桩 等电压攀升， 永铭电容 需"扛压不击穿"，确保系统安全，防止 数据丢失在最 后一秒 。 空间极限挑战 机器人、服务器电源 追求"寸土寸金"， 永铭电容 要在毫米之间"储能不减、性能不缩"，破解 空 间窒息式设计难题 。 永铭电容，正是为了陪伴第三代半导体走完落地的"最后一厘米"而生。 永铭的能量伙伴家族： 1 2 一辆 电动汽车正在快充 ，却因电源模块中电容"扛不住" 高频开关 而 发热降频 — ...