反潮流的TSV

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 几十年来，半导体技术的进步一直以不断缩小的纳米尺寸来衡量。但随着晶体管尺寸缩小速度放缓， 瓶颈已从器件转移到互连，先进封装成为新的前沿领域。采用硅通孔（TSV）的硅中介层实现了高密 度2.5D集成，缩短了信号路径，并支持远超衬底和引线键合所能提供的带宽。 下一阶段的发展趋势与直觉相反：更大的TSV（宽度可达50μm，深度可达300μm）蚀刻到更厚的中 介层中，可带来更好的电气性能、更稳定的电源传输、更佳的散热性能和更高的制造良率。 从引线键合到中介层 在TSV区域和中介层顶层的微凸点之间是重分布层（RDL）。该层包含主要的水平界面连接，用于连 接中介层顶层的元件芯片。RDL中的互连结构类似于HDI PCB中的盲孔/埋孔。 中介层通常由三种材料制成：硅、玻璃或有机衬底。中介层完全由代工厂制造（台积电是主要供应 商），包括与封装衬底和半导体芯片键合的硅通孔 (TSV) 和水平互连。中介层可以设计成两种功 能：作为有源器件或无源器件。 硅中介层的一个主要应用是将高带宽内存 (HBM) 连接到高速处理器（图 2）。每个 HBM 器件本身 都是一个由 TSV 构建的 3D ...