NAND，新“混”战

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 为何混合键合成为必选项？ 对于NAND厂商而言，伴随着层数的不断攀升，采用混合键合的必要性正在不断增加。 从技术层面来看，当NAND层数突破300层后，传统的单片制造架构开始遭遇系统性瓶颈。在PUC （Peri under Cell，单元下外围电路）架构中，外围电路被构建在晶圆的最底部，而数百层的存储单 元堆叠在其上。这意味着外围电路必须承受整个堆叠制程的高温考验——其长期暴露在高温环境中， 导致晶体管性能退化、良率恶化，可靠性问题日益突出。 而根据业内人士透露，SK海力士在321层V9 NAND之前一直采用PUC工艺。但随着层数增加，外围 电路故障的可能性也随之增加。三星电子在推进V9（286层）到V10（400+层）的过程中，同样面临 这一挑战。更关键的是，堆叠效率的下降让单纯依靠增加层数变得越来越不经济。 提前一个世代的决策背后，是残酷的市场竞争现实。三星电子正全力冲刺400多层的V10 NAND，其 采用的混合键合外围单元（CoP）架构已经完成技术验证。虽然三星V10的量产之路并不顺利——原 定今年年底开始量产的计划已经推迟，超低温蚀刻设备的评估仍在进行 ...