Kioxia公布3D DRAM细节

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 铠侠表示，该公司已开发出可高度堆叠的氧化物半导体沟道晶体管，能够支持高密度 3D DRAM。 这项技术的发展有望通过降低每 GB 的制造成本，并通过高导通电流和超低关断电流晶体管提高能源 效率，从而带来更便宜、更快的内存。 然而，这项技术需要精确的多层对准、集成到标准制造工艺中以及长期可靠性测试，所有这些都可能 需要数十年时间。 该技术在最近于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议上进行了展示，演示了堆叠成八层垂直结构的 晶体管的运行情况。 垂直层由水平排列的晶体管组成，这些晶体管是通过用氧化物半导体材料 InGaZnO 取代传统的氮化 硅区域而形成的。 这种设计方案无需依赖传统的平面DRAM结构即可增加内存容量。 氧化物半导体沟道晶体管将成熟的氧化硅和氮化硅薄膜与新型 InGaZnO 材料相结合。 Kioxia 推出的 3D 存储单元结构扩大了垂直间距，使得单位体积内可以堆叠更多的存储单元。 在该工艺中形成的水平晶体管具有超过 30 微安的高导通电流。 它还表现出低于 1 阿安培的超低关断电流，从而最大限度地减少了刷新周期中的能耗。 通过降低刷新功耗，该设计 ...