AI芯片散热,中山大学团队发布新方案
半导体芯闻·2025-12-17 10:31

随着AI算力芯片功率密度突破1200 W,其局部热流密度高达300-500 W/cm²,这对热界面材 料(TIMs)提出严苛要求:总热阻需≤1 mm²K/W才能将界面温升控制在5 °C内。传统导热硅 脂、相变材料等热阻普遍>4 mm²K/W,而且这些材料的导热率不足,厚度稍大则热阻快速增 大,难以满足需求。为了适应当前和未来AI芯片的散热需求,潜在解决方案包括液态金属和 碳基复合材料两大技术路线:液态金属虽热阻≈1 mm²K/W,但存在氧化、泄漏等问题;垂直 取向碳材料虽本征热导率>1000 W/mK,但因材料刚性导致热阻>10 mm²K/W。本研究突破 性地开发了超声-抛光两步处理工艺:首先通过超声处理使石墨片在介观尺度可控断裂,形成 兼具高热导率和柔性的微观结构;再经精密抛光优化表面平整度,显著提升界面接触性能。 最终制备的石墨-硅胶复合材料展现出极低总热阻(50 psi:1.8 mm²K/W),高体导热率,优 良压缩顺应性以及优异的热循环稳定性。该材料成功解决了传统碳材料压缩性与界面接触性 能的矛盾,其导热特性和应用水平极为接近液态金属的水平,为AI芯片散热提供了理想解决 方案。 文章亮点 1. 经超声 ...