混合键合,是必须的吗?
半导体行业观察·2025-12-31 01:40

公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 混合键合(HB: Hybrid Bonding)技术现在在长江存储YMTC、KIOXIA和Western Digital(SanDisk)等3D NAND 制 造 商 中 很 常 见 。 长 江 存 储 YMTC 将 其 命 名 为 Xtacking ( Xtacking1.0 至 Xtacking4.x ) , 而 KIOXIA/Western Digital将其命名为CBA(BiCS8)。 HB技术有什么好处?在HB工艺技术中,存储器阵列和外围电路分别在两个不同的晶圆(NAND 阵列晶圆 和外围逻辑晶圆)上制造,然后通过数百万对小间距金属通孔键合在一起。使用HB可显著提高存储密 度,并提供更高的I/O速度。Micron、Samsung和SK hynix的当前CuA、COP和4D PUC NAND器件将很快转 向HB结构。未来,HB技术还可用于DRAM微缩,例如混合键合3D DRAM和先进HBM器件(HB-HBM)。 微凸块Microbumping广泛应用于HBM DRAM芯片管芯多层堆叠的HBM器件,例如8Hi、12Hi 或16Hi。三 大HBM制造商对HB ...