我国首台！取得重要突破

中国原子能科学研究院依托在核物理加速器领域数十年的深厚积累，以串列加速器技术作 为核心手段，破解一系列难题， 完全掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机 集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断， 将有力提升我 国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力"双碳"目标实现、加快发展新质 生产力提供强有力技术支撑。 我国首台！芯片制造核心装备取得重要突破。 记者17日从中核集团中国原子能科学研究院获悉， 由该院自主研制的我国首台串列型高 能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平 。这标志着 我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链中 的关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。 离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造"四大核心装备"，是半导 体制造不可或缺的"刚需"设备。长期以来，我国高能氢离子注 入机完全依赖国外进口， 其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国关键技术产业升级发展的瓶颈之一。 出品 | 中国能源报（c n e n e rg y） 编辑丨闫志强 | 来源：科技日 ...