三星HBM出货，大增300%

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 三星电子预测今年内存半导体将持续短缺。由于第一季度DRAM和NAND闪存的出货量均有所增 长，价格上涨预计不可避免。 特别是，高带宽存储器（HBM）难以满足全球因人工智能基础设施投资而激增的需求。三星电子 已 设 定 目 标 ， 今 年 其 HBM 销 量 将 比 去 年 增 长 三 倍 以 上 。 容 量 方 面 ， 预 计 将 超 过 100 亿 吉 比 特 （Gb）。 29日，三星电子通过电话会议公布了其2025年第四季度收益，并宣布了其对今年存储器市场的展 望。 由于去年下半年供应严重短缺，存储器供应商正在迅速提高DRAM和NAND闪存的盈利能力。三 星电子报告称，去年第四季度其DRAM平均售价（ASP）较上一季度增长了40%。NAND闪存的平 均售价也较上一季度增长了20%。 今年第一季度，存储器出货量（位数）的增长预计仍将受到限制。与上一季度相比，DRAM 和 NAND 的出货量预计分别保持在个位数低段和个位数中段的水平。因此，存储器价格将面临进一 步的上涨压力。 三星电子解释说："由于近期人工智能领域的需求快速增长，内存供应扩张受到限制，这种情况在 短期 ...