混合键合，集体延期了

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 三星电子和SK海力士已宣布第六代高带宽存储器（HBM4）量产，但据报道，他们已推迟引入混 合键合机，该键合机原本预计会部分用于HBM4的生产。三星电子和SK海力士计划使用现有公司 （例如Semes和韩美半导体）提供的TC键合机进行HBM4的量产。即使是最初预计采用混合键合 机的16层HBM4产品，也可能使用TC键合机来实现。 然而，由于混合键合机尚未实现大规模生产和良率，三星电子和SK海力士目前选择最大限度地发 挥热连接键合机的性能。关于间距缩放（缩小凸点和焊盘间距）这一最大的难题，众所周知， HBM4 的 设 计 目 标 是 将 微 凸 点 间 距 缩 小 到 约 10 微 米 （ µm ） 。 据 解 释 ， 这 种 设 计 仍 然 可 以 达 到 HBM4的目标性能。此前，NVIDIA要求这两家公司将HBM4的性能提升至每引脚11.7 Gb/s。 市场研究公司 CTT Research 解释说："去年 8 月，北美客户美光计划推出一款无需助焊剂的'无 助焊剂键合机'，但已将其推迟到 2028 年。"该公司补充道："这是因为现有的热电偶键合机可以 满足国际半导体标 ...