SK海力士，闪存黑科技

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ SK海力士正在开发名为"AIP（All-In-Plug）"的创新技术，以实现下一代高密度NAND闪存。传 统的NAND闪存需要三个核心工艺，而AIP旨在通过一次性完成这些工艺来显著降低制造成本。 SK海力士副总裁李成勋在11日于首尔COEX举行的"2026韩国半导体展"的主题演讲中宣布了这一 消息。 副总裁解释说："由于半导体工艺的技术难度正急剧上升，我们认为过去十年来一直沿用的方法将 难以继续。"他补充道："因此，SK海力士基于自身积累的技术，构建了一个能够预测下一代工艺 难度的平台。" 副总裁表示："为实现高堆叠 NAND 而增加的 HARC 蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因 素"，并且"为了抑制这种情况，我们正在考虑是否可以将 HARC 工艺合并并一次性实施。" NAND闪存，缺货浪潮袭来 人工智能工作负载对存储系统提出了独特且日益增长的压力。大型模型训练现在需要频繁地对数 TB级的状态进行检查点操作，而推理环境也越来越多地与训练工作负载在共享基础设施上并行运 行。这些混合工作负载会产生持续的、对性能高度敏感的I/O模式，从而加剧闪存容量不足的影 响。随着 ...