这类DRAM，成为新研究方向

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 据 业 内人士 透 露 ， 三 星 电 子 和 SK 海力士正在加速开发下一代三 维 （ 3D ） 动 态 随 机 存 取 存 储 器 （DRAM），两家公司都计划在今年年底前完成并测试垂直结构"4F² DRAM"的早期原型。 4F² DRAM架构突破了传统平面DRAM的局限，采用垂直堆叠方式，克服了现有结构的微型化限 制。该设计有望提升性能、数据传输速率和能效。三星电子和SK海力士均将4F² DRAM定位为迈 向成熟的3D DRAM技术的过渡阶段。 DRAM 以称为单元（或称"存储单元"）的单位存储信息，每个单元的面积通常用 F² 表示。迄今为 止的标准架构是 6F² 单元，它包含三条垂直位线和两条水平字线。4F² 架构将位线和字线都减少到 两条，同时将晶体管（每个 DRAM 单元内的功能开关）垂直放置，从而提高密度并缩小芯片尺 寸。 据 报 道 ， 两 家 韩 国 芯 片 制 造 商 正 在 加 快 开 发 可 实 际 运 行 的 4F² DRAM 原 型 。 " 在 全 面 开 展 3D DRAM开发之前，这两家公司计划在年内完成并验证能够实际运行的4F² DR ...