韩国巨头，竞相扩产

SK 海力士正在龙仁半导体集群建设一期晶圆厂，原计划于明年 5 月竣工。目前一期厂房外部结构施 工已过半，规划中的 6 座洁净室已有 3 座同步建设。洁净室是对粉尘、微生物与颗粒物进行严格管 控的专用空间。SK 海力士龙仁一期厂房为三层建筑，规模相当于清州厂区的 6 座 M15X 晶圆厂。 据报道，SK 海力士正计划提前试产，最早可能在明年 2—3 月启动。公司将在龙仁一期率先完工的 洁净室内快速完成设备安装，实现提前投产，主要生产在 AI 时代需求激增的高性能 DRAM（如 DDR5）与高带宽内存 HBM。 三星电子也在平泽建设P4（第四座）晶圆厂，原计划明年第一季度竣工，如今工期有望提前至今年第 四季度，整体缩短约三个月。三星会根据市场行情调整存储与代工设备的配置，P4 厂大概率将生产 目前供不应求的高性能存储芯片。近期有消息称，三星已制定战略，在 P4 厂新建一条10 纳米级第 六代（1c）DRAM 生产线，专门用于 HBM 生产，新线月产能预计可达 10 万 —12 万片晶圆。一位 半导体行业人士表示："韩国存储厂商正疯狂赶工，提前投产时间表。" 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 随着" ...