芯片领域，三大进展

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 器件尺寸的缩小使得金属线和介质间隙的尺寸越来越小，电阻、电容和材料稳定性成为首要限制因素。 近几个月来，休斯顿大学、西北大学（与 IBM 合作）和爱丁堡大学的研究人员分别报告了针对该瓶颈不同部分的材 料进展：低介电常数层间介电材料、纳米级互连导体和用于光电集成的 IV 族合金。 这三项研究共同表明，除了晶体管之外，线路及其周围的材料也日益成为影响器件扩展潜力的决定性因素。 重新思考介电性能的权衡 休斯顿大学的研究人员展示了大面积 二维共价有机框架（COF）薄膜，据报道其在100 kHz频率下的介电常数约为 1.17。相比之下，先进后端工艺中使用的传统有机硅酸盐低介电常数材料的介电常数通常远高于2，而通过增加孔隙率 来降低介电常数，却牺牲了机械强度和击穿可靠性。 据《ACS Nano》报道，休斯顿大学的研究团队利用液-液界面聚合法合成了共价有机框架（COF）薄膜，制备出连续 的薄层，并对其电学和热机械性能进行了表征。除了超低的介电常数（K值）外，该材料在室温下的介电强度约为 3908 MV/m，在300°C下约为2100 MV/m。杨氏模量约为3.4 GPa，密度 ...