混合键合，关键进展

半导体制造的未来不再仅仅取决于尺寸的缩小。相反，芯片制造商正在重新思考器件的构建、堆叠和 供电方式。 混合键合技术或许是实现3D集成最重要的结构性推动因素，因为它可以在相同的封装尺寸内实现比 焊球多几个数量级的互连，同时还能提高信号和电源的完整性。它对于在每个封装中集成多个芯片至 关重要，并且能够降低内存/处理器的延迟，同时减少功耗。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 这是先进封装领域增长最快的细分市场，Yole Group 预计混合键合设备在 2025 年至 2030 年间将以 21% 的复合年增长率增长。在人工智能、高性能计算和其他基于芯片的架构的强劲需求推动下，混 合键合能够实现芯片之间的高带宽互连，且信号损耗可忽略不计。 混合键合技术已在一些高端应用中得到应用，但仍需进一步改进键合界面的质量，使键合铜互连的性 能如同在同一芯片上制造而成。考虑到需要无颗粒表面、在300mm晶圆上实现纳米级铜凹陷以及晶 圆变形极小以实现晶圆间50nm的对准精度，这无疑是一项艰巨的任务。 即便如此，将目前量产芯片上采用的9µm铜-铜连接（周围环绕绝缘介质）的混合键合工艺，扩展到 2µm甚至更小，似乎可以通过晶 ...