日本将设3大支援基地提升AI半导体产业实力

在北海道千岁市内的Rapidus工厂附近，将开设设备与材料基地。目标是2029年度启动。将 引进荷兰ASML控股生产的最新款极紫外（EUV）光刻设备。推动开发可与EUV光刻设备配套 使用的产品。 最尖端半导体的设计工具等需耗资数十亿至数百亿日元，企业难以单独承担投资 此外，还计划建设具备高速、低功耗等优势的"化合物半导体"试制基地。基板不使用普通的 硅，而是采用由多种元素构成的材料，以实现高性能。将引进可测试各类材料的设备。 例如，使用氮化镓的半导体可大幅降低电力损耗。有望应用于耗电量巨大的AI数据中心服务 器、纯电动汽车（EV）、6G等领域。 建设这些基地将使用政府预算中已确定的1306亿日元以及国立研究开发法人"产业技术综合 研究所"的资金。让企业与研究机构能够以低廉价格使用基地的设备。 越是尖端半导体，研发成本越高，企业难以单独承担投资。半导体设计工具等需要耗资数十 亿至数百亿日元，一台最新光刻设备更是高达数百亿日元。日本政府将积极承担相关费用， 为民间技术革新打下基础。 日本企业在AI半导体的设计方起步较晚，具备优势的生产设备及材料领域也因中国企业崛起导 致份额缩小。日本为提振AI半导体产业，将设立3 ...