氧化镓，爆发前夜

氧化镓：第四代半导体的"性价比之王" 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 日前，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英 寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产 迈出了关键一步。 据悉，NCT已明确后续发展路线：2027年交付150毫米β-Ga₂O₃外延片样品，2029年实现全面量产， 2035年进一步开发并供应200毫米（8英寸）β-Ga₂O₃晶圆，逐步完善氧化镓产品矩阵，抢占下一代功 率半导体市场先机。 这一动态也引发了业界对氧化镓（Ga₂O₃）材料产业化进程的再度聚焦。 Ga 2 O 3 ，属于一种单晶材料，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料。 作为备受瞩目的下一代功率半导体材料，氧化镓实际上并非新近发现的材料，但直到近年，随着新能 源汽车、智能电网、光伏逆变器等高压场景对功率器件性能要求的持续攀升，其卓越的材料特性才被 推到聚光灯下。 据 了 解 ， 氧 化 镓 的 禁 带 宽 度 高 达 4.9eV ， 远 超 硅 材 料 的 1.1eV ， 高 于 ...