混合键合，怎么办？

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 随着20层高带宽存储器（HBM）堆叠技术的商业化进程日益临近，关于放宽国际半导体标准的讨 论也愈发激烈。 据业内人士8日透露，在近期举行的纳什维尔联合电子器件工程委员会（JEDEC）会议（JC-42） 上，一项重要议题便是将HBM产品的高度放宽至800微米或更高。JEDEC三月会议旨在完善去年 的草案，并协调今年的关键下一代标准技术。 随着堆叠层数的增加，HBM的标准高度一直在不断调整。此前，国际标准已从725微米放宽至775 微米，但为了应对20层堆叠工艺的物理限制，进一步放宽至800微米或更高也在考虑之中。 为了满足现有的 20 层堆叠 775 微米标准，必须采用背面研磨工艺，将单个 DRAM 芯片加工得极 其薄。这一工艺增加了晶圆损坏的风险，进而导致整体良率大幅下降。作为 最大客户，NVIDIA 近期将"供应稳定性"置于性能指标之上，这也加剧了这场讨论。NVIDIA 正 在 考 虑 采 用 " 双 通 道 " 方 案 ， 允 许 并 行 采 用 低 端 版 本 （ 10.6Gbps ） 的 下 一 代 HBM4 ， 与 现 有 的 11.7Gbps 版本并行。规 ...