HBM 4，走向分叉点

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 三星电子和SK海力士正在下一代高带宽内存（HBM4）市场展开激烈的竞争，力图占据主导地位。 HBM4已成为人工智能时代的核心基础设施，这场竞争不仅是三星和SK争夺全球内存领导地位的较 量，也关乎韩国经济的未来。HBM4市场可能会显著影响两家公司对人工智能未来的愿景，其影响范 围不仅涵盖下一代内存技术，还包括整个供应链。 据业内人士11日透露，三星电子和SK海力士在开发下一代HBM逻辑芯片工艺方面采取了不同的策 略。 SK海力士在为精细加工做准备的同时，专注于成本优化。 三星电子和 SK 海力士在推进下一代高带宽存储器 (HBM) 的逻辑（基础）芯片工艺方面，呈现出略 有不同的立场。 三星电子计划积极采用超精细工艺，并将性能放在首位。SK海力士也在推进工艺微型化以满足客户 需求，但其战略主要侧重于成本效益。市场关注的焦点在于这两家公司的战略性技术决策将如何塑造 未来的市场格局及其带来的影响。 三星电子致力于推进逻辑芯片工艺，并着手设计2纳米工艺。 逻辑芯片是负责HBM控制器功能的芯片。它位于核心芯片下方，核心芯片垂直堆叠着多个DRAM。 逻辑芯片通过PHY（物理层 ...