磁存储技术
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超快存储材料迎新突破
第一财经· 2026-03-17 09:38
2026.03. 17 本文字数:2831,阅读时长大约4分钟 作者 | 第一财经 杜卿卿 全球AI算力热潮持续推高存储需求,行业迎来新一轮发展周期。不过,存储能力跟不上数据增长速 度的技术问题,仍待突破。 "磁存储技术以磁体自旋作为信息载体,具备读写速度快、抗辐照能力强和稳定性好等独特优势,有 望成为支撑新一代信息技术发展的主流方案之一。"清华大学先进材料教育部重点实验室主任宋成 在"北京基础研究和技术攻关的有关成效和举措"交流会上表示,其团队实验发现的交错磁体,目前被 广泛认为是新一代磁存储最理想的材料体系。 作为北京市支持的首批具有颠覆性创新的首批非共识性科研项目之一,交错磁体项目已取得核心技术 突破,为开发兼具超高密度、超快读写和低功耗特性的新一代磁存储器奠定关键科学基础,目前正在 加紧推进应用研究。 "交错磁体理论上存储速度可达ps(皮秒)级,"宋成对第一财经表示,相比铁磁随机存储、内存、闪 存等,交错磁体存储速度提升两到三个数量级,一旦研发成功并投入应用,将给存储领域带来颠覆性 的技术进步。 从二级市场来看,兆易创新从2024年2月开启一路上行,股价从55元/股涨至300元/股,两年涨了近 4.5 ...