这一发现来自韩国原子能研究机构与忠北大学以及比利时电子研究中心IMEC公司合作开展的神经突触晶体管研发项目，该项目还获得了韩 国科技信息通信部的资助。 随着太空探索和卫星技术的不断进步，确保"抗辐射"性能——即能够在太空恶劣的辐射环境中保持稳定——已成为那些人工智能半导体制造 企业所面临的关键挑战。 据悉，上述项目在试验中取得了突破性进展：研究人员使用铟镓锌氧化物材料（IGZO）制造了突触晶体管，并通过质子加速器对其进行了 测试。 该晶体管经受住了33MeV 高能质子束的辐照处理，所施加的辐射剂量相当于在太空中停留20年的辐射强度，超过了低轨道卫星的典 型使用寿命（5至15年）。 以下文章来源于科创日报 ，作者周子意 科创日报 . 科创圈都在关注的主流媒体，上海报业集团主管主办，《科创板日报》出品。 韩国科技信息通信部周四（3月19日）表示， 一个韩国研究团队已证实，一种名为"突触晶体管（synaptic transistor）"的关键组件（用于 下一代人工智能芯片）在高辐射空间环境中具有潜在应用价值。 尽管该组件在测试后出现了一些性能下降的情况，例如驱动电流减少，但重要的是，开关操作（半导体的核心功能）和突 ...