光刻机行业研究框架

光刻机行业研究框架 20250917 摘要 全球光刻机市场预计将达 310 亿美元，光刻机技术性能、市场规模和经 济价值均至关重要，其中有掩膜光刻是目前最常见和关注度最高的一种。 光学系统是光刻机性能关键，分辨率与制程节点密切相关。改善分辨率 主要通过调整工艺因子、波长和数值孔径等参数，DUV 到 EUV 是重大 进步。 在分辨率不变情况下，可通过多重曝光技术实现更低制程节点，如双重 曝光、四重曝光等。套刻误差对晶圆晶体管性能及良率影响巨大。 EUV 光刻使用 13.5 纳米波长光源，分辨率高于 DUV。DUV 按物镜出 射介质可分为干式和浸模式，浸模式用水介质改善 NA 值，提高分辨率。 中国在 DUV 和 EUV 领域面临挑战，DUV 仍有短板，EUV 难度更大。 技术限制制约国内半导体发展，需突破以实现自主可控。 光刻机市场由 ASML、尼康和佳能主导，ASML 占据高端市场垄断地位。 ASML 与上下游紧密协作，但在中美摩擦下对华出口受限。 国内半导体产业链在自主可控方面取得进展，国产替代市场前景广阔。 AI 芯片需求扩张，对先进制程需求增加，投资国产替代潜力大。 Q&A 光刻机在半导体前道设备中的地 ...