中国取得EUV技术重要突破，阿斯麦CEO还在嘴硬…

【文/观察者网 熊超然】美西方越是打压封锁，越会倒逼中国加快自主创新步伐。这一点，早已一次又 一次应验，如今也有望出现在半导体的极紫外光刻机（EUV）领域。 据《中国激光》杂志今年第6期（2025年3月下）所刊登的一篇研究论文称，中国研究人员已经建立了一 个运行参数具有国际竞争力的EUV光源实验平台，这对于我国自主开展EUV光刻及其关键器件与技术 的研发工作具有重要意义。香港《南华早报》4月29日对此报道时则认为，中方这一研究成果"突破了自 主生产先进芯片的障碍"。 报道称，该研究团队来自中国科学院上海光学精密机械研究所，由该研究所研究员林楠领导，他曾是荷 兰光刻机巨头阿斯麦公司（ASML）在光源技术方面的负责人。 论文指出，虽然阿斯麦采用的二氧化碳激光驱动技术优点显著，但林楠团队近期研究发现，固体激光驱 动技术历经近十年发展也有许多优势提升，并可能对我国自主开展EUV光刻及其关键器件与技术的研 发具有重要意义。 在所建立的激光驱动等离子体极紫外（LPP-EUV）光源实验平台上，中方团队破局高转换效率，所得 结果处于国际靠前、国内领先水平。科研人员还估计，该光源实验平台的理论最大转换效率可能接近 6%，他们正 ...