美光宣布NAND新厂建设，总投资达240亿美元

周二，美光科技宣布将在未来十年向新加坡追加投资240亿美元，用于建设新的NAND闪存晶圆厂，以 应对人工智能驱动的存储芯片供应紧张。 这座新设施将是新加坡首座双层晶圆厂，洁净室面积达70万平方英尺，预计于2028年下半年开始晶圆产 出。该项目将创造约1600个就业岗位。 此举凸显全球存储芯片市场的供需失衡正在加剧。随着AI基础设施建设推动NAND需求激增，美光及其 韩国竞争对手SK海力士和三星电子均将生产重心转向高端AI芯片，导致PC和智能手机制造商面临存储 芯片短缺。 美光此次大规模扩产是其全球产能布局的重要一环。该公司刚刚在纽约州启动1000亿美元的建厂项目， 以缓解其所称的"前所未有的供应紧缩"。 新加坡目前已是美光重要的NAND生产基地之一。2025年初，美光曾宣布在未来数年内向新加坡投资70 亿美元，以扩大制造规模满足训练人工智能所需的先进存储芯片需求。美光长期依赖新加坡和日本作为 其关键生产基地。 新晶圆厂将与此前动工的HBM先进封装工厂协同运作，进一步强化新加坡在全球存储供应链中的关键 地位。美光在新加坡的投资与该国发展从AI到先进芯片制造等尖端产业的战略相契合。新加坡政府已 承诺投资超过10亿 ...