为何死磕EUV光刻？

过去两年是高数值孔径极紫外光刻技术发展的重要篇章。随着首批系统交付客户，以及ASML与imec联 合成立的高数值孔径极紫外光刻实验室的启动——这为整个生态系统提供了早期探索其潜力的机会—— 这项技术正获得真正的发展动力。目前，高数值孔径极紫外光刻技术展现出巨大的潜力，有望实现其在 尺寸微缩、工艺简化和设计灵活性方面的承诺。 2024年，imec在ASML-imec高数值孔径EUV光刻实验室中，利用0.55NA EUV光刻扫描仪（TWINSCAN EXE:5000）实现了16nm间距线/空的单次打印图像，创造了世界纪录。这些图像打印在专为高数值孔径 EUV光刻优化的金属氧化物光刻胶（MOR）上。同样，接触孔（打印在化学放大光刻胶（CAR）上） 和柱状结构（打印在MOR上）也展现了令人瞩目的24nm间距（中心距）分辨率。 然而，最终分辨率仅仅是一个"光学"上的承诺，它反映的是图像在照射到晶圆之前空中成像的质量。在 晶圆曝光过程中，空中成像会在光刻胶中形成图案，这些图案在显影后会被进一步蚀刻到下层材料中。 因此，最终图案化结构的分辨率也取决于图案化过程中使用的材料（光刻胶、下层材料、硬掩模等）和 蚀刻工艺的性能。工 ...