报道：SK海力士正探索HBM4新封装技术，剑指英伟达顶级性能目标

对市场而言，该技术的潜在意义在于其低资本投入属性——若量产落地，SK海力士有望在HBM竞争格 局中进一步巩固技术领先优势，同时为英伟达等下游客户提供更具竞争力的内存解决方案。不过，报道 同时指出，将该技术扩展至大规模量产阶段仍可能面临挑战。 然而，层间距收窄带来了新的工艺难题：MUF（模塑底部填充材料）的注入稳定性将显著下降。MUF 作为保护与绝缘材料，一旦填充不均或出现空洞，将直接导致芯片缺陷。 为此，SK海力士开发了一套新封装技术，核心思路是在不对现有工艺流程或设备进行大规模改动的前 提下，实现DRAM层间距收窄的同时维持稳定良率。据报道，近期内部测试已取得积极结果。 SK海力士正在开发一项针对下一代高带宽内存的封装创新技术，试图在不大幅增加资本支出的前提下 突破HBM4性能瓶颈。 据集邦咨询（TrendForce）援引ZDNet周二报道，业内消息人士透露，SK海力士正推进一项封装架构改 良方案，核心措施包括增加DRAM芯片厚度以及缩小DRAM层间距，目前该技术正处于验证阶段。若 成功实现商业化，这一方案有望帮助SK海力士达成英伟达对第六代HBM4设定的顶级性能指标，并为 后续产品的性能提升奠定基础。 增 ...