下一代存储关键技术，将亮相

来源：内 容 编译自 pcwatch ，谢谢。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 自旋轨道扭矩结构和磁各向异性的设计技术。 参考链接 https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/2010780.html 2025年的IEEE国际存储器研讨会（IMW）是半导体存储器技术研发的国际会议即将隆重召开。届 时，将会有很多领先的存储技术发布。 据介绍，Kioxia 将报告具有 CBA（CMOS 直接键合到阵列）结构的 3D NAND 闪存的交叉位线 (CBL) 架构。相信这可以解释为什么通过晶圆键合堆叠外围电路和存储单元阵列的CBA结构在位 线布局方面具有优势。 三星则描述了具有非圆形通道孔形状的多孔 VNAND 闪存架构的阈值电压建模。美光公司模拟了 椭圆度（想象"孔形"）对 3D NAND 读取窗口边缘的影响。在最新的研究中，人们尝试通过将通 道孔的横截面形状制成椭圆形或半圆形而不是圆形来提高密度。这些声明被视为这一努力的一部 分。 旺宏电子国际公司（MXIC）开发了一种用于3D堆叠外围电路的垂直通道高压晶体管，以使1,000 层和超多层3D NAN ...