英伟达力推数据中心800V革新，需要大量碳化硅/氮化镓

插播： 英诺赛科、能华半导体、致能科技、 万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓 （GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。 最近，英伟达发起了数据中心的第二次电源架构革命，并与英飞凌和纳微达成了相关合作，意图进一步降低数 据中心电源能耗。 据"行家说三代半"了解，这次电源架构的革新将需要采用大量的碳化硅和氮化镓器件，规格包括6500V、 3300V、2300V、1200V和650V的碳化硅器件，以及650V和1200V的氮化镓器件。 5月20日，英伟达在其官网宣布，"从2027年开始，英伟达将率先向800V HVDC 数据中心电力基础设施过 渡。 同一天，英飞凌也宣布，他们正与英伟达合作，开发基于全新架构的800V高压直流（HVDC）系统，英飞凌将 该系统提供硅、碳化硅和氮化镓器件解决方案。 5月22日，纳微半导体也宣布，他们与英伟达合作开发下一代800V HVDC架构，以支持为英伟达GPU供电 的"Kyber"机架级系统，该系统由GaNFast和GeneSiC电源提供技术支持。 据英伟达披露，其800V ...