光掩模的关键挑战与突破方向

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自 semiengineering 。 不断发展的光刻需求对掩模写入技术提出了挑战，并且正在向曲线转变。 近日，Semiconductor Engineering与 HJL Lithography 首席光刻师 Harry Levinson、 D2S首席 执行官 Aki Fujimura、美光公司掩模技术高级总监 Ezequiel Russell 以及 Photronics 执行副总裁 兼首席技术官 Christopher Progler 就掩模制造的现状和未来发展方向进行了探讨。 以下是对话节选： SE：非 EUV 节点（例如 193i 浸没式技术）仍在不断发展。哪些关键创新能够保持这项技术的可 行性并延长其使用寿命？ Progler： 最大的创新在于曲线掩模版的使用——更复杂的掩模版形状，充分利用了当今刻写技术 的优势。借助多光束掩模刻写技术，现在可以在掩模版上制作出以前无法实现的复杂形状。这无疑 是一个真正的推动力。其次，在掩模设计流程中更广泛地使用计算工具。如今，诸如掩模工艺校正 (MPC) 和高级仿真等工具可以更有效地预测结果。这减少了对昂贵实验 ...