光掩膜的变化和挑战

以下是对话节选。 SE：非 EUV 节点（例如 193i 浸没式技术）仍在不断发展。哪些关键创新能够保持这项技术的可行 性并延长其使用寿命？ 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 semiengineering 。 日 前 ， 半 导 体 工 程 杂 志 (Semiconductor Engineering) 与 HJL Lithography 首 席 光 刻 师 Harry Levinson 、 D2S 首 席 执 行 官 Aki Fujimura 、 美 光 公 司 掩 模 技 术 高 级 总 监 Ezequiel Russell 以 及 Photronics 执行副总裁兼首席技术官 Christopher Progler 就掩模制造的现状和未来发展方向进行了 探讨。 Progler： 最大的创新在于曲线掩模版的使用——更复杂的掩模版形状，充分利用了当今刻写技术的 优势。借助多光束掩模刻写技术，现在可以在掩模版上制作出以前无法实现的复杂形状。这无疑是一 个 真 正 的 推 动 力 。 其 次 ， 在 掩 模 设 计 流 程 中 更 广 泛 地 使 用 计 算 工 具 。 如 ...