下一代DRAM，三星大幅扩产

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来 源 ： 内容 编译自etnews 。 三星电子全面启动下一代DRAM 扩产计划，韩媒《ET News》报导，三星预计在明年底前将10 纳米 级第六代DRAM（1c DRAM）月产能扩大至20 万片，远高于目前既有规模。 根据规划，三星将在今年第4 季先达到月产6 万片，明年第2 季再新增8 万片，并于明年第4 季进一 步扩增6 万片，整体月产能达到20 万片。相关时程以设备完成建置为基准，目标是于各阶段具备立 即量产条件。知情人士指出：「三星将在明年底前持续强化1c DRAM 的供给能力，意在提前卡位下 一代市场。」 1c DRAM 做为最新世代产品，线宽低于11 奈米，并搭载多层EUV 制程，属于三星近年主攻的高阶 记忆体。此次扩充让1c DRAM 产能单独达到三星整体DRAM 月产能（65～70 万片）约三分之一的 规模，甚至超越三星2022 年半导体景气高峰期所新增的13 万片扩建量。业界推估，三星将透过既有 产线制程转换，加上平泽P4 新厂投资，完成上述扩产。 由于AI 推升DRAM 需求全面走强，不仅HBM 供应吃紧，连一般DRAM 也呈现缺货，甚 ...