EUV光刻机“秘史”！

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 摩尔定律指出，集成电路上的晶体管数量往往每两年翻一番，这一规律的实现很大程度上得益于光刻 技术的进步：光刻技术是一种在硅片上制作微观图案的技术。晶体管尺寸的不断缩小——从20世纪70 年代初的约10000纳米缩小到如今的约20纳米-60纳米——得益于能够制作越来越小图案的光刻方法 的开发。光刻技术的最新进展是采用极紫外 (EUV) 光刻技术，该技术使用波长为 13.5 纳米的光在芯 片上创建图案。 众所周知，极紫外光刻机仅由荷兰ASML公司一家生产，因此，谁能使用这些机器已成为一个重要的 地缘政治问题。然而，尽管机器由ASML制造，但使其得以实现的绝大部分研究工作却是在美国完成 的。美国研发领域一些最负盛名的机构——例如DARPA、贝尔实验室、IBM研究院、英特尔和美国 国家实验室——投入了数十年时间和数亿美元的资金，才使得极紫外光刻技术成为可能。 那么，为什么在美国付出如此多的努力之后，最终实现 EUV 商业化的却是荷兰的一家公司呢？ 半导体光刻技术的工作原理 简而言之，半导体光刻技术的工作原理是利用掩模将光选择性地投射到硅片上。当光穿过掩模（或在 极紫外光刻 ...