台积电的真正瓶颈

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 2025年底，台积电刚刚完成了2纳米环栅（GAA）晶体管的架构革新——这是自2011年FinFET 问世以来晶体管结构最重大的变革。我们对此里程碑事件进行了广泛报道，实至名归。每片晶 圆的生产设备密集度将增加30%至50% ，这将推动一个持续多年的资本支出周期，SEMI预测到 2027年，该周期将达到1560亿美元。 相关报道指出，台积电表示，2 纳米技术已如期于2025 年第四季开始量产。 N2 技术采用第一代纳 米片(Nanosheet) 电晶体技术，提供全制程节点的效能及功耗进步，并发展低阻值重置导线层与超高 效能金属层间电容以持续进行2 纳米制程技术效能提升。 台积电指出，N2 技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术，N2 技术采用领先的 纳米片电晶体结构，将提供全制程节点的效能及功耗的进步，以满足节能运算日益增加的需求。 N2 及其衍生技术将因我们持续强化的策略，进一步扩大台积电的技术领先优势。 与3 纳米的N3E 制程相比，在相同功耗下台积电2 纳米速度增加10% 至15%；在相同速度下，功耗降 低25% 至30%，同时芯片密度增加大于 ...