英特尔最新封装技术，全面曝光

该技术平台的核心是 4 个大型逻辑芯片块，据称基于英特尔 18A 制程工艺打造，因此集成了环 绕栅极晶体管（RibbonFET）与背面供电技术（PowerVia）。逻辑芯片块两侧配置类 HBM4 内 存堆栈与 I/O 芯片块，各组件间预计通过直接嵌入封装基板的增强型嵌入式多芯片互连桥接技术 2.5D 桥接器（EMIB-T）实现互联。英特尔对 EMIB-T 技术进行了升级，在桥接器内部增设硅 通孔（TSV），使电力与信号既能横向传输，也可纵向流通，从而最大限度提升互连密度与供电 效率。从逻辑架构来看，该平台针对通用芯片互连标准（UCIe）的芯粒间接口设计，支持 32 吉 比特每秒（GT/s）及以上的传输速率，这一接口标准似乎也被用于连接类相干高带宽内存 4 增强 版（C-HBM4E）堆栈。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 英特尔代工事业部（Intel Foundry）于本周发布一份宣传文件，详细介绍其面向人工智能（AI） 和高性能计算（HPC）应用的前沿前后端制程解决方案，并展示了一款 "人工智能芯片测试载 体"，以此佐证公司当前具备的封装技术实力。该测试载体的表现确实亮眼 —— 其尺寸达到 8 个 ...