英特尔开发的一种新内存，旨在替代HBM

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 英特尔本周宣布，正与软银旗下子公司SAIMEMORY合作，将Z角内存（ZAM）商业化。ZAM是一 种先进的DRAM，可将内存模块垂直堆叠。虽然ZAM芯片预计至少三年内无法上市，但最终可能会 取代目前因人工智能蓬勃发展而需求旺盛的高带宽内存（HBM）。 内存带宽目前是人工智能处理的主要瓶颈，因为各组织机构都在寻求将越来越多的数据从内存传输到 GPU，然后再传输回内存。英伟达和AMD等芯片制造商正在其GPU芯片上集成数百GB的HBM内 存，以缓解这一瓶颈。然而，HBM需求的激增导致全球NAND闪存库存短缺，推高了内存模块和 NVMe存储的价格，并造成了供应链短缺。 NGDB 计 划 是 先 进 存 储 技 术 (AMT) 项 目 的 一 部 分 ， 该 项 目 是 美 国 能 源 部 和 国 家 核 安 全 管 理 局 (NNSA) 的一项倡议，旨在将英特尔、SK 海力士和软银等供应商与能源部政府实验室聚集在一起， 开发新的存储技术，包括 ZAM、HBM、Compute Express Link (CXL) 和非易失性存储器，如磁性 随机存取存储器 (MRAM)。 ...