英特尔晶圆代工，新创新

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 英特尔和英特尔晶圆代工的研究人员展示了新一代去耦电容 (DCAP) 材料，可显著提升先进计算机芯片的供电性能。这项突破性成果将在 2025 年 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上发布，它利用了独特的金属-绝缘体-金属 (MIM) 材料特性。铁电氧化铪锆 (HZO) 利用其场强相关的介电响 应，实现了 60 至 80 fF/μm² 的电容值；而氧化钛 (TiO) 和氧化锶钛 (STO) 则凭借其超高的介电常数，分别达到了 80 和 98 fF/μm² 的电容值 ——这三种材料均具有卓越的可靠性，且电压依赖性极低。这三种材料在 10 万秒内均表现出可忽略不计的电容漂移，漏电流远低于要求，并且在 90 摄氏度下，预计 10 年击穿电压均超过规格要求。 这些进步对半导体行业和更广泛的科技领域有着直接的影响。处理人工智能 (AI) 工作负载的数据中心可以通过更高的 MIM 去电容技术更长时间 地保持高能效，从而更快地完成工作负载，同时降低数据中心的能耗和运营成本。移动设备受益于可靠的高性能和更快的低功耗状态切换，从而提 高电池效率。高性能计算 (HPC) 系统可 ...