英伟达参与研发下一代闪存

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 推荐阅读 10万亿，投向半导体 芯片巨头，市值大跌 黄仁勋：HBM是个技术奇迹 Jim Keller：RISC-V一定会胜出 全球市值最高的10家芯片公司 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。 业内人士证实，三星电子已与英伟达合作，加速下一代NAND闪存芯片的研发。 基于研究成果，三星电子将与最大的内存客户英伟达合作，共同推进铁电NAND闪存的商业化开 发，这预示着双方未来的发展方向。去年底，三星在国际期刊《自然》上发表了其铁电NAND闪存 技术，该技术与传统NAND闪存相比，功耗降低了96%，标志着一项重大的行业创新。 根据韩国知识产权局的数据，韩国在全球铁电专利份额中位列前五，占比 43.1%，其中三星电子 的份额为 27.8%。 （来源： 编译自sedaily ） 三星与英伟达联合开发了一套人工智能系统，该系统能够显著加快基于铁电材料的超低功耗NAND 闪存的研发——这项技术将决定人工智能芯片的性能。此举体现了两家公司在引领 ...