反复胚胎种植失败(RIF)
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3D子宫胚胎植入模拟芯片破解胚胎反复种植失败难题
Ke Ji Ri Bao· 2025-12-24 02:37
这项突破的核心在于,该芯片技术能够直接惠及临床,为患者解决三大痛点。 首先,有望精准定位"怀不上"的根源。研究团队利用该芯片发现,RIF患者的子宫内膜细胞存在凋亡增 多、增殖下降等异常。研究发现,RIF患者来源的子宫内膜囊胚植入率仅为健康人群的60%,且植入后 胚胎进一步发育能力严重不足,这直观解释了临床中"移植成功但胎停"的现象。未来,患者仅需提供少 量子宫内膜样本,即可通过该芯片评估内膜功能,告别"病因不明"。 一枚指甲盖大小的芯片,为不孕患者带来精准治疗新希望。中国科学院动物研究所于乐谦研究员团队联 合国内外单位的科研人员,成功研发出3D子宫胚胎植入模拟芯片,首次在实验室完整复刻了人类胚胎 着床全过程。该研究突破了长期困扰该领域的伦理与技术瓶颈,为阐明反复胚胎种植失败(RIF)的病 理基础提供了全新研究平台。相关研究成果23日发表于《细胞》杂志。 数据显示,我国不孕症人群已超4000万,在接受辅助生殖技术治疗的患者中,约有10%的个体经历多次 胚胎种植仍无法成功妊娠,从而陷入RIF困境。过去,RIF病因诊断像"大海捞针",治疗多靠医生经 验"盲目尝试",效果参差不齐。 其次,能快速筛选"最有效"的个性化 ...