公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 从左到右：采用钨坩埚和脱氧绝缘体的新晶体生长技术示意图，以及新型单晶示例。 图源：Scientific Reports (2025) 最终，他们已成功研发出超越现有闪烁体的高密度单晶。这一发现将带来重大的现实影响，直接改善 世界各地人们的生活。例如，这些晶体可应用于PET设备，从而在更短的时间内检测出早期癌症。 现有氧化物、氟化物和卤化物闪烁体单晶的熔点和带隙。图中显示了使用铱、铂铑和铂坩埚可进行晶体生长 的区域。 图源：Scientific Reports (2025) 吉川说："这些结果是令人兴奋的，因为这意味着我们可以创造出大量适用于广泛应用的新材料。" 这项研究有望加速开发用于半导体、光学材料、闪烁体和压电材料的、工作温度在2200°C以上的新 型功能性单晶。目前，在日本科学技术振兴机构（JST）的支持下，其量产方法正在开发中。 目前用于半导体、电子设备和光学设备的单晶无法承受高温。这是因为通常用于制造它们的材料（例 如铱和铂）的熔点低于 2,200°C。制造能够承受这种极端温度的单晶是一项迄今为止尚未攻克的难 题。 横田雄衣副教授和吉川彰教授（东北大学 ...