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3μm短波低反射膜系
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安徽光智申请 3μm 短波低反射膜系的制备方法专利,制备特定膜系
Jin Rong Jie· 2025-05-05 10:43
金融界 2025 年 5 月 5 日消息,国家知识产权局信息显示,安徽光智科技有限公司申请一项名为"3μm 短波低反射膜系的制备方法"的专利,公开号 CN119913460A,申请日期为 2025 年 1 月。 天眼查资料显示,安徽光智科技有限公司,成立于2018年,位于滁州市,是一家以从事计算机、通信和 其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽光智科 技有限公司共对外投资了5家企业,参与招投标项目80次,财产线索方面有商标信息20条,专利信息816 条,此外企业还拥有行政许可43个。 专利摘要显示,一种锗基底 2‑2.3μm 短波低反射膜系的制备方法包括步骤:S1,作为镜片的锗基底的陪 镀片和产品清洁,陪镀片为圆片和楔形片;S2,镜片装入工装夹具,工装夹具挂入腔体;S3,抽真 空,霍尔离子源清洗;S4,在镜片的第一面,按照 34.8nmSiO/64.3nmGe/52.2nmZnS/272.8nmSiO 顺序镀 制各膜层,SiO 膜层和 Ge 膜层电子束加热蒸发,ZnS 膜层电阻加热蒸发,SiO 膜层的沉积速率为 0.6nm/s,Ge 膜层的沉积速率为 0.3n ...