公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在人工智能与大数据技术驱动存储需求指数级增长的产业变革期，新存科技于近日重磅推出新一 代内存级存储芯片NM111。这款采用全自主知识产权三维集成技术的突破性产品，凭借64Gb超 大容量、低延迟及高耐久性等核心指标，达到国际领先水平，为我国构建自主可控的存储产业生 态注入强劲动能。 作为国内首款具备内存级性能的新型存储芯片，NM111通过先进的三维垂直堆叠架构与纳米级互联 技术，实现64Gb超大容量，存储密度较传统DRAM提升数倍。该芯片支持内存语义访问，支持随机 读写操作，读取延时低至百纳秒，带宽高达3.2Gbps，可广泛应用于服务器内存扩展、数据库缓存等 场景。其突破性的非易失特性更可实现断电数据保护，在元数据存储等关键领域将系统性能提升至全 新维度。 推荐阅读 新存科技于2024年9月和2025年初分别发布首款64Gb国内最大容量三维新型存储级芯片NM101，和1 28Gb的升级产品NM102。此次发布的NM111属于全新持久内存芯片系列，在性能和可靠性方面实现 全面提升。基于公司在设计、材料、工艺、器件、测试等多方面的持续创新，NM111耐久度较前作 提升 ...