9月4日，中微公司发布公告称，公司近日推出六款半导体设备新产品。这些设备覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键工艺，为中微公司加速向高端 设备平台化公司转型注入新动能。 在刻蚀技术方面，中微公司此次发布的两款新品分别在极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域为客户提供了领先和高效的解决方案。 中微公司新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备——CCP电容性高能等离子体刻蚀机PrimoUD-RIE®基于成熟的PrimoHD-RIE®设计架构并全面升级，配备六 个单反应台反应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。 Primo Menova™ 12 寸ICP 单腔刻蚀设备专注于金属刻蚀领域，擅长金属Al线、Al块刻蚀，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆 厂金属化工艺的核心设备。该设备在刻蚀均一性控制方面表现卓越，可实现高速率、高选择比及低底层介质损伤等优异性能。同时，其高效腔体清洁工艺能 有效减少腔室污染、延长持续运行时间；集成的高温水蒸气除胶腔室可高效清除金属刻蚀后晶圆表面残留的光刻胶及副产物。此外，主刻蚀腔体与除胶腔体 可根 ...