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光学加工
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高端光学设备专家交流
2025-08-11 01:21
高端光学设备专家交流 20250810 摘要 光刻机分辨率受波长、数值孔径和工艺因子影响,EUV 光刻机采用 13.5 纳米波长,需使用反射镜,研发难度大。提高数值孔径和优化工艺 因子是提升分辨率的关键。 光刻机照明系统核心指标为均匀照明和离轴照明,均匀性需控制在 1% 以内,离轴照明通过滤掉基频光提升分辨率。物镜需达到衍射极限,波 像差控制在几纳米内,对加工精度要求极高。 工件台需具备极高的稳定性和定位精度,达到纳米级精度,以实现大的 曝光面积和区域。光源系统需确保激光器达到所需功率并保持稳定,对 腔室材料有严格要求。 光刻机类型直接影响最终产品制程,DUV 光刻机通过先进工艺可实现 7 纳米甚至 5 纳米制程,EUV 光刻机主要用于 10 纳米以下制程,并已应 用于 7 纳米、5 纳米、4 纳米、3 纳米及未来可能的 2 纳米节点。 光刻机整机售价从 i 线到 DUV 再到 EUV 显著增加,EUV 设备达到数亿 美金。光学系统在 DUV 中成本约占整机 50%,EUV 中比例可能更大, 物镜和照明系统是关键。 Q&A 光刻机的基本原理是什么? 光刻机的基本原理是投影式光刻,通过将掩模板上的图形以一定比例 ...