国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 7月25日消息，据报道，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚 碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。 这一光刻胶由单组分小分子聚合而成，在简洁设计下整合理想特性，为下一代EUV光刻胶的开发提供了可行路径。 光刻胶市场在半导体升级、国产替代及新兴技术驱动下，将保持高速增长。中国有望通过技术突破与政策支持，从"进口依 赖"转向"全球主导"。中国"十四五"规划将光刻胶列为关键材料，税收优惠及研发补贴超200亿元，推动国内相关企业实现 ArF光刻胶量产。 许华平教授课题组基于团队早期发明的聚碲氧烷开发出一种全新的EUV光刻胶，满足了上述理想光刻胶的条 件。在该项研究中，团队将高EUV吸收元素碲（Te）通过Te─O键直接引入高分子骨架中。碲具有除惰性气体 元素氙（Xe）、氡（Rn）和放射性元素砹（At）之外最高的EUV吸收截面，EUV吸收能力远高于传统光刻胶 中的短周期元素和Zn、Zr、Hf和Sn等金属元素，显著提升了光刻胶的EU ...