国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 6月30日消息，近日某知名科技媒体爆出震撼性消息：中国自主研发的EUV光刻机，已经取得 了实质性突破！更引人瞩目的是，中国技术团队选择了一条与荷兰ASML截然不同的技术路径 ——激光诱导放电等离子体（LDP）。 ASML路线（LPP） ： 依赖昂贵复杂的高能激光器轰击锡滴产生等离子体，其控制系统基于 极其精密的FPGA（现场可编程门阵列），如同一个需要顶级交响乐团指挥的精密乐章。 中国路线（LDP）： 核心在于让电极间的锡材料汽化，再通过高压放电将其转化为等离子 态。电子与离子激烈碰撞，最终激发出那至关重要的13.5纳米极紫外光。这更像一场精准控 制的定向爆破。 关键时间节点敲定：2025年第三季度，也就是说，中国EUV光刻机即将登场？这是外媒报道 中提及的国产EUV光刻机进入试产阶段的重大时刻。一旦如期启动，无疑将宣告中国在半导 体制造最尖端领域拥有了真正的自主力量。 长期以来，受限于EUV设备的缺失，中企在制造7纳米及以下节点的顶级芯片时，被迫采用复 杂且昂贵的"多重曝光"技术。这如同用毛笔反复 ...