以下文章来源于余盛 ，作者余盛 余盛 . 阿斯麦退出中国市场，给了竞争对手可乘之机。 2023 年 12 月，全球第二大光刻机厂商尼康宣布推出浸 润式 ArF 光刻机新品 NSR-S636E ，于 2024 年 1 月开售。在此之前，尼康已中标了上海积塔半导体招 标的 ArFi 浸润入式 DUV 光刻机，说明上海积塔半导体很可能是尼康新款光刻机的首个客户，甚至可 能是共同研发伙伴，就像当年台积电与阿斯麦共同研发浸润式光刻机和 EUV 光刻机一样。尼康的 NSR-S636E 是一款高性能的光刻设备，分辨率≤ 38 纳米，数值孔径（ NA ） 1.35 ，套刻精度（ MMO ）≤ 2.1 纳米，最高可满足 7 纳米工艺的芯片制造需求。 科技、财经和历史类，原创深度评论 2024 年，阿斯麦的股市表现很不好看。年初市值约 2800 亿美元，一年过去，到 2025 年年初，市值却 仍然是 2800 亿美元。由于第三季度的财报披露新增订单量仅为 26 亿欧元，远低于分析师预期的 54 亿 欧元，导致市场信心大跌，阿斯麦的市值在 11 月 15 日跌到年内最低谷的 2591 亿美元。与 7 月 10 日最 高峰的 432 ...

7月第一天，A股科技板块迎开门红。 今日，芯片产业链开盘集体起舞，光刻机、光刻胶、先进封装等方向领涨，不过盘中冲高后又回落。 截至发稿，凯美特气2连板，海立股份、旭光电子涨停，蓝英装备涨超16%，久日新材涨超5%。 | 代码 | 名称 | 现价 | 涨跌 | 张唱 | 总市值 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 300293 | 蓝英装备 | 29.29 | +4.15 | +16.51% | 99.13 7. | | 665ZDD | 凯美特气 | 11.33 | +1.03 | +10.00% | 78.78 7. | | 600619 | 海立股份 | 12.55 | +1.14 | +9.99% | 134.747 | | 600353 | 旭光电子 | 14.67 | +1.33 | +9.97% | 121.87 | | 688199 | 久日新材 | 24.79 | +1.19 | +5.04% | 39.97 乙 | | 002816 | *ST和科 | 19.18 | +0.91 | +4.98% | 19.18 Z | | 300260 | ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 6月30日消息，近日某知名科技媒体爆出震撼性消息：中国自主研发的EUV光刻机，已经取得 了实质性突破！更引人瞩目的是，中国技术团队选择了一条与荷兰ASML截然不同的技术路径 ——激光诱导放电等离子体（LDP）。 ASML路线（LPP） ： 依赖昂贵复杂的高能激光器轰击锡滴产生等离子体，其控制系统基于 极其精密的FPGA（现场可编程门阵列），如同一个需要顶级交响乐团指挥的精密乐章。 中国路线（LDP）： 核心在于让电极间的锡材料汽化，再通过高压放电将其转化为等离子 态。电子与离子激烈碰撞，最终激发出那至关重要的13.5纳米极紫外光。这更像一场精准控 制的定向爆破。 关键时间节点敲定：2025年第三季度，也就是说，中国EUV光刻机即将登场？这是外媒报道 中提及的国产EUV光刻机进入试产阶段的重大时刻。一旦如期启动，无疑将宣告中国在半导 体制造最尖端领域拥有了真正的自主力量。 长期以来，受限于EUV设备的缺失，中企在制造7纳米及以下节点的顶级芯片时，被迫采用复 杂且昂贵的"多重曝光"技术。这如同用毛笔反复 ...

今日早盘，A股小幅震荡上扬，科创50涨逾1%，再度冲击1000点大关，中证500、中证1000均创近3个 月来新高。上涨个股远多于下跌个股，成交略有萎缩的趋势。 泰伯智库发布的《2025年火箭发射服务市场全景深度研究报告》显示，2025年—2030年间，我国卫星发 射需求预计将超过7000颗。 中航证券指出，2025年，伴随多款商业火箭新型号首飞，巨型卫星互联网星座建设有望提速，相关商业 航天板块的上市公司的关注度有望提升，特别是卫星制造板块有望迎来基本面改善叠加估值提升的"戴 维斯双击"。 光刻机概念创历史新高 盘面上，国防军工、光刻机、游戏、人脑工程等板块涨幅居前，镍金属、银行、油气开采、证券等板块 小幅调整。 商业航天迎爆发 国防军工概念股早间继续走强，商业航天领域表现活跃，板块指数单边上扬，放量涨逾2%，创历史新 高。晨曦航空（300581）、博亚精工（300971）均快速20%涨停，国瑞科技（300600）、再升科技 （603601）、能科科技（603859）等逾10股涨停或涨超10%。 地面兵装板块指数再度飙升逾8%，创8年多来新高，军贸概念、军民融合、大飞机、核污染防治等多个 细分板块亦再创历史 ...

日本如此倾力支持发展芯片工艺，在于日本希望重振的芯片产业，在1990年代之前日本曾称霸全球芯片 业界，占有全球芯片市场半数份额，甚至当年日本有人曾喊出如果没有日本的芯片美国将无法生产收音 机，可见当时日本有多狂妄。 可惜好景不长，美国很快就对日本采取了打压政策，日本经济迅速败落，芯片也因此迅速衰落，日本的 尔必达曾在全球存储芯片市场占有重要地位，但是在美国的打压下，尔必达倒下，而如今的存储芯片龙 头是韩国企业。 台积电预计将在今年下半年用2纳米工艺为苹果生产A19处理器，而竞争对手三星面临良率偏低的问 题，Intel则进展不顺，都以为台积电将在先进工艺上独步全球，日本芯片却突然传出消息正推进2纳米 工艺的量产，将成为台积电的强敌。 日本的2纳米工艺据称近期已进入试生产阶段，预计到明年就能量产，在量产时间上估计只会比台积电 慢几个月，如此情况下日本在芯片工艺方面将从零一步突进到与台积电分庭抗礼。 日本在2022年成立一家芯片企业Rapidus，由日本八大企业合资建立，再加上日本政府的倾力支持，因 此新成立的Rapidus可以说是财大气粗。 到了如今日本可以重振芯片产业，则在于美国希望实现芯片的来源多元化，自从5 ...

Core Viewpoint - The article discusses the challenges and potential solutions related to high numerical aperture (NA) EUV lithography, particularly focusing on the issues of mask stitching and the implications of larger mask sizes on manufacturing efficiency and yield [1][2][9]. Group 1: Challenges of High NA EUV Lithography - The transition to high NA (0.55) EUV lithography presents significant challenges in circuit stitching between exposure fields, impacting design, yield, and manufacturability [1][2]. - The use of deformable optics in high NA systems reduces the exposure area of standard 6×6 inch masks by half, complicating the alignment and yield of critical layers [2][3]. - Misalignment at the stitching boundaries can lead to significant errors in critical dimensions, with a 2nm misalignment potentially causing at least a 10% error in pattern dimensions [2][3]. Group 2: Impact on Yield and Performance - The reliance on precise calibration in advanced lithography is crucial to avoid interference between features across different masks, which can lead to yield issues [3][4]. - The introduction of stitching-aware design strategies is necessary to mitigate performance degradation, with potential frequency reductions of up to 3% and increased power consumption by 3% in worst-case scenarios [5][6]. - Optimizations in design can reduce the impact of stitching on performance, with some strategies achieving a reduction in stitching area loss to below 0.5% and performance degradation to around 0.2% [6][8]. Group 3: Solutions and Industry Perspectives - Increasing the mask size to 6×11 inches could eliminate stitching issues and improve throughput, although it would significantly increase equipment costs and require extensive changes to existing manufacturing infrastructure [9][10]. - The production of larger masks poses additional challenges in stress management and defect control, which are already critical in EUV mask fabrication [10][11]. - Despite the technical advantages of larger masks, industry skepticism remains regarding the associated costs and the need for upgrades to meet future technology nodes [11].

以前聊芯片制造，谁不提光刻机就得被当成外行——ASML的EUV光刻机，那可是比春运火车票还难抢 的硬通货，一台卖3亿多欧元，台积电、三星抢破头，咱们想买还得看人家脸色。但最近半导体圈炸了 个大新闻：英特尔高管当众放话"光刻将不再那么重要"，台积电说High-NA EUV至少5年不用，三星把 DRAM生产计划推迟到2030年。花天价买回来的顶级光刻机，居然开始"吃灰"？这哪是技术迭代，分明 是半导体圈的"真香定律"失灵了！ 这时候，刻蚀技术突然成了"关键先生"。 一、High-NA EUV：从"天价顶配"到"仓库积灰" 要聊清楚这事儿，得先说说High-NA EUV是个啥。简单说，它就是ASML推出的"光刻机Pro Max Ultra 版"——普通EUV用的是0.3数值孔径（NA），能刻13.5nm的线；High-NA EUV把NA提到0.55，理论上 能刻8nm，号称"为1nm以下制程而生"。2023年那会儿，这玩意儿火得一塌糊涂：英特尔2018年就下 单，2023年底催着ASML交货；台积电、三星紧随其后，生怕晚一步就落后对手一代工艺。ASML自己 也吹："High-NA EUV将定义半导体的下一个十年！" ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 众所周知，作为全球半导体工艺研发的核心枢纽，IMEC依托顶尖科研团队、先进基础设施，以及 产学研协同创新的独特模式，长期引领行业技术发展，在半导体领域的权威性与前瞻性备受业界认 可。 正因如此，IMEC对半导体未来路线图的预测，不仅展现了其对行业趋势的深刻洞察，更为全球半 导体企业与科研机构提供了极具价值的参考方向。接下来，本文将聚焦这份最新路线图，深度剖析 其对未来半导体技术发展的预测与展望。 解读IMEC路线图 IMEC最近更新了直至2039年的路线图，这份路线图预测了未来14年内工艺节点技术的演进过程， 涵盖了即将出现的新技术和工艺节点的演进。 IMEC 预测至 2039 年的路线图 （图源： YouTube 博主 @TechTechPotato ） 在其中，IMEC详细阐释了如何对芯片工艺节点、晶体管架构、芯片互联架构、背面供电技术、 EUV光刻机和2D材料等技术的发展走势和演进历程做出预测，以及这些技术从实验室走向产业化 近日，YouTube博主@TechTechPotato在视频中，深入分享并解读了IMEC（比利时微电子研 究中心）发布的半导体工艺路线图。 ...

文 | 半导体产业纵横，作者 | 丰宁 "光刻将不再那么重要。"这句话一出便在业界引起巨大争议，这句话来源于英特尔的一位高管。 光刻机，向来被视为半导体制造的命脉。但近期多家芯片巨头释放的信息显示，未来光刻技术可能不再 是唯一选择，即便是很难抢到的High-NA EUV，也多处于"闲置"状态。 High-NA EUV光刻机，面临滞销 去年，High-NA EUV 热度很高。 ASML官网显示，其组装了两个TWINSCAN EXE:5000高数值孔径光刻系统。其中一个由ASM与imec合 作开发，将于2024年安装在ASML与imec的联合实验室中，预计2025年投入量产。另一个由英特尔在 2018年订购，2023 年 12 月，ASML正式向英特尔交付了首个High-NA EUV 光刻系统——TWINSCAN EXE:5000的首批模块。 2024 年初，这台光刻机主要组件运抵英特尔；11 月，台积电称年底前会收到 ASML 最先进的High-NA EUV光刻机。2025 年 3 月，三星在韩国华城园区引入首台 ASML 造的 TWINSCAN EXE:5000 ，成为英 特尔、台积电之后第三家购入的半导体厂 ...

"刚说好休战，转头就下狠手？" 近日，《华尔街日报》爆出重磅消息：美国商务部负责出口管制的副部长Jeffrey Kessler正磨刀霍霍，计划取消SK海力士、三星、台积电等盟友企业在 华"芯片"工厂的豁免许可。 此次"背刺"事件不仅使半导体产业链整体陷入震动，更揭露了美国科技霸权的真实面纱——所谓技术安全，不过是遏制中国发展的遮羞布！ SK海力士无锡工厂承担了近50%的DRAM芯片全球产能；而三星西安工厂的3D NAND闪存月产能高达26.5万片12英寸晶圆，占其全球总产量的42%；台 积电南京厂虽以成熟制程为主，但2万片/月的16nm产能仍深度服务中国市场。 事实上，西方倚仗技术优势打压我国已不是首次。在关乎民众生活质量的前沿生科领域，我国也被率先研发出新一代燃脂瘦身食用菌"肠轻倍AKK001"的 欧美企业高价收割多年。 这些数据背后，是美国瞄准的"卡脖子"关键点——一旦豁免被取消，设备供应链的中断将直接导致SK海力士和三星在华工厂的技术升级陷入停滞，台积 电（南京厂）的产能亦被迫叫停。 美国商务部宣称此举是对中国稀土出口限制的"对等反制"，然而其真实意图昭然若揭！自2022年10月以来，美国已通过12轮出 ...