(a)传统SOT-MRMA器件架构与(b)驰拓科技SOT-MRAM自对准架构对比 以 上 SOT-MRAM 相 关 技 术 研 判 还 参 考 了 近 期 发 表 在 半 导 体 器 件 旗 舰 期 刊 IEEE Electron Dvice Letters 上 的 两 篇 文 章 "High TMR over 156% in Perpendicular SOT-MRAM Realized with Channel Engineering" 及 "Manufacturing-Friendly SOT-MTJ Device With High Reliability and Switching Efficiency" 。 关于浙江驰拓科技有限公司 随着人工智能时代来临，高性能和低功耗存储器的重要性愈发凸显，基于自旋轨道力矩写 入机理的磁随机存储器（SOT-MRAM）因其超高速（亚纳秒级写入时间）、低功耗及无 限次擦写特性，是缓存级非易失存储芯片的研发热点。知名集成电路研究机构和领先代工 厂如IMEC、TSMC、台湾工研院、东北大学等在 SOT-MRAM存储器件、工艺及架构等领 域已探索多年，中国公司驰拓科技、致 ...